مقدمة لطريقة اختبار multimeter
1. طريقة الكشف عن مقاومة العاصمة داخل الدائرة
هذا نوع من توقف أوم متعدد القياس ، مباشرة على لوحة الدائرة لقياس دبابيس IC والمكونات المحيطية لقيمة مقاومة DC الإيجابية والسلبية ، ومقارنتها مع البيانات العادية ، للعثور على طريقة الخطأ وتحديدها. عند القياس ، انتبه إلى النقاط الثلاث التالية:
(1) افصل مصدر الطاقة قبل القياس لتجنب إتلاف العداد والمكونات أثناء الاختبار.
(2) يجب ألا يكون الجهد الداخلي للكتلة المقاوم المتعددة المتقلب أكبر من 6V ، ويفضل أن يكون النطاق R × 100 أو R × 1K.
(3) عند قياس معلمات دبوس IC ، انتبه إلى ظروف القياس ، مثل النموذج المقاس ، وضع الذراع المنزلق في مقياس الجهد المتعلق بـ IC ، وما إلى ذلك ، ولكن أيضًا ضع في اعتبارك مكونات الدائرة المحيطية.
2. طريقة قياس الجهد العاملة العاصمة
هذا نوع من حالة الطاقة ، مع كتلة الجهد DC متعددة المتر على جهد إمداد DC ، والمكونات المحيطية لقياس جهد العمل ؛ دبابيس الاكتشاف إلى قيمة جهد العاصمة الأرضية ، ومقارنة مع القيمة العادية ، ثم ضغط نطاق المشكلة ، لمعرفة المكونات التالفة. يجب أن ينتبه القياس إلى النقاط الثمانية التالية:
(1) يجب أن يكون للمقياس المتعدد مقاومة داخلية كبيرة بما يكفي ، على الأقل 10 مرات أكبر من مقاومة الدائرة قيد الاختبار ، حتى لا تتسبب في أخطاء قياس كبيرة.
(2) عادةً ما تحول كل مقياس الجهد إلى الموضع الأوسط ، وإذا كان مجموعة تلفزيون ، فيجب أن يكون مصدر الإشارة مولد إشارة شريط ألوان قياسي.
(3) يجب أن يتخذ قلم العداد أو المسبار تدابير مضادة للانزلاق. بسبب أي دائرة قصيرة فورية من السهل إلحاق الضرر بـ IC. يمكن أن تؤخذ على النحو التالي لمنع انزلاق قلم العداد: خذ قسمًا من قلب صمام الدراجات على طرف قلم العداد ، وطويل من طرف قلم العدادات حول 0.
(4) عند قياس جهد الدبوس لا يتطابق مع القيمة العادية ، يجب أن يعتمد جهد الدبوس على التشغيل العادي للـ IC ليس له تأثير كبير على الجهد الدبوس الآخر والتغيير المقابل في التحليل ، من أجل تحديد IC الجيد والسيئ.
(5) سيتأثر جهد دبوس IC بالمكونات الطرفية. عندما تتسرب المكونات المحيطية أو الدائرة القصيرة أو الدائرة المفتوحة أو القيمة ، أو يتم توصيل الدائرة المحيطية بمقياس الجهد مع مقاومة متغيرة ، فإن ذراع انزلاق الجهد في وضع مختلف ، سيجعل تغيير الجهد الدبوس.
(6) إذا كان جهد دبوس IC طبيعيًا ، فإن IC يعتبر طبيعيًا بشكل عام ؛ إذا كان جزء IC من جهد الدبوس غير طبيعي ، فيجب أن يبدأ من أكبر انحراف عن القيمة العادية ، تحقق من أن المكونات الطرفية ليس لها خطأ ، إذا لم يكن هناك خطأ ، فمن المحتمل أن تتلف IC.
(7) بالنسبة لأجهزة الاستقبال الديناميكية ، مثل أجهزة التلفزيون ، في وجود أو عدم وجود إشارة ، يختلف جهد دبوس IC. إذا وجدت أن جهد الدبوس يجب ألا يتغير بدلاً من التغييرات الكبيرة ، فإن حجم الإشارة والمكونات القابلة للتعديل مع مواضع وتغييرات مختلفة بدلاً من التغييرات ، يمكنك تحديد تلف IC.
(8) بالنسبة لمجموعة متنوعة من أوضاع التشغيل للجهاز ، مثل مسجلات الفيديو ، في أوضاع التشغيل المختلفة ، يختلف جهد دبوس IC أيضًا.
3. طريقة قياس الجهد العام
من أجل فهم التغييرات في إشارة IC AC ، يمكنك استخدام مقياس متعدد المقاييس مع مقبس DB لتقريب قياس جهد تشغيل IC AC. اكتشاف المقياس المتعدد الموضوعة في كتلة جهد التيار المتردد ، تم إدخال القلم الإيجابي في مقبس DB ؛ بالنسبة إلى multiMeter بدون مقبس DB ، الحاجة إلى القلم الموجب في سلسلة مع مكثف العزل {0}}. 1 ~ 0.5μF. تنطبق الطريقة على ICS مع تردد تشغيل منخفض نسبيًا ، مثل مرحلة تضخيم الفيديو في التلفزيون ، ودوائر المسح الميداني وما إلى ذلك. نظرًا للتكرار المتأصل لهذه الدوائر مختلفة ، أشكال موجية مختلفة ، وبالتالي فإن البيانات المقاسة تقريبية ولا يمكن استخدامها إلا للرجوع إليها.
4. إجمالي طريقة القياس الحالية
تتمثل هذه الطريقة في اكتشاف إجمالي تيار إمدادات الطاقة IC في الخط ، لتحديد طريقة جيدة أو سيئة. نظرًا لأن الغالبية العظمى من الاقتران المباشر الداخلي IC ، فإن تلف IC (مثل انهيار تقاطع PN أو الدائرة المفتوحة) سوف يتسبب في تشبع وقطع مرحلة الخلفية ، بحيث يتغير إجمالي التيار. لذلك من خلال قياس الطريقة الحالية الحالية يمكن أن تحدد IC جيدة أو سيئة. يمكن أيضًا استخدامها لقياس انخفاض الجهد للمقاوم في مسار إمداد الطاقة ، وذلك باستخدام قانون OHM لحساب إجمالي القيمة الحالية.
