+86-18822802390

اتصل بنا

  • الهاتف: +8618822802390

  • البريد الإلكتروني-:admin@gvda-instrument.com

  • واتساب: 8618822802390

  • إضافة: غرفة 610-612، مبنى هواتشوانغدا التجاري، المنطقة 46، طريق كويزو، شارع شينان، باوان، شنتشن

ما هي التدابير التي يمكن اتخاذها لمنع EMI في تصميم تبديل إمدادات الطاقة؟

Jan 06, 2024

ما هي التدابير التي يمكن اتخاذها لمنع EMI في تصميم تبديل إمدادات الطاقة؟

 

1. لتقليل عقد دائرة الضوضاء في منطقة رقائق النحاس PCB؛ مثل مصرف ومجمع أنبوب التبديل، وعقدة اللفات الأولية والثانوية، وما إلى ذلك.


2. احتفظ بأطراف الإدخال والإخراج بعيدًا عن المكونات المزعجة، مثل أغلفة أسلاك المحولات، وقلب المحولات، ومشتت حرارة أنبوب التبديل، وما إلى ذلك.


3. احتفظ بالمكونات المزعجة (على سبيل المثال، أغلفة أسلاك المحولات غير المحمية، وقلوب المحولات غير المحمية، وأنابيب التبديل، وما إلى ذلك) بعيدًا عن حافة العلبة، والتي من المحتمل أن تكون قريبة من السلك الأرضي الخارجي في ظل التشغيل العادي.


4. إذا لم يكن المحول محميًا من المجالات الكهربائية، فاحتفظ بالدرع والمشتت الحراري بعيدًا عن المحول.


5. قم بتقليل مساحة حلقات التيار التالية: المقومات الثانوية (الخرج)، وأجهزة تحويل الطاقة الأولية، وخطوط تشغيل البوابة (القاعدة)، والمقومات المساعدة.


6. لا تخلط حلقة إرجاع محرك البوابة (القاعدة) مع دائرة التبديل الأساسية أو دائرة المقوم المساعدة.


7. قم بضبط قيمة مقاومة التخميد وتحسينها بحيث لا تنتج ضوضاء رنين أثناء الوقت الميت للمفتاح.


8. منع تشبع مغو مرشح EMI.


9. احتفظ بالعقد الزاوية ومكونات الدائرة الثانوية بعيدًا عن دروع الدائرة الأولية أو المشتتات الحرارية لأنبوب التبديل.


10. احتفظ بالعقد المتأرجحة ومكونات جسم الدائرة الأولية بعيدًا عن الدرع أو المشتت الحراري.


11. احتفظ بمرشحات EMI للإدخال عالية التردد بالقرب من كابل الإدخال أو أطراف الموصل.


12. احتفظ بمرشح EMI للخرج عالي التردد بالقرب من أطراف سلك الإخراج.


13. حافظ على مسافة معينة بين الرقاقة النحاسية للوحة PCB المقابلة لمرشح EMI وجسم المكون.


14. ضع بعض المقاومات على خط مقوم الملف المساعد.


15. قم بتوصيل مقاومات التخميد على التوازي مع ملف الشريط المغناطيسي.


16. ضع مقاومات التخميد بالتوازي مع أطراف مرشح التردد اللاسلكي للخرج.


17. اسمح بوجود مكثف سيراميكي 1nF/500V أو أيضًا سلسلة من المقاومات عبر الطرف الثابت للمحول الأساسي والملفات المساعدة في تصميم ثنائي الفينيل متعدد الكلور.


18. احتفظ بمرشح EMI بعيدًا عن محول الطاقة؛ على وجه الخصوص، تجنب وضعه في نهاية اللف.


19. إذا كانت منطقة PCB كافية، فاترك مساحة قدم على PCB لملف التدريع ومكانًا لمخمد RC، الذي يمكن توصيله عبر ملف التدريع.


20. إذا سمحت المساحة، ضع مكثف رصاص شعاعي صغير (مكثف ميلر، سعة 10 pF/1 كيلو فولت) بين المصرف وبوابة تحويل الطاقة FET.


21. ضع مخمد RC صغيرًا على مخرج التيار المستمر إذا سمحت المساحة بذلك.


22. لا تضع مقبس التيار المتردد على المشتت الحراري لأنبوب التبديل الأساسي.

 

Lab Power Supply

إرسال التحقيق