ما هي التدابير لمنع EMI في تصميم تبديل إمدادات الطاقة
1MHZ -5MHZ - خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل التداخل الذي يتجاوز المعيار وحله؛ 5M - يستخدم أعلاه بشكل أساسي تداخل اللمس المشترك ويعتمد طريقة قمع اللمس المشترك. بالنسبة للحالة المؤرضة، فإن استخدام حلقة مغناطيسية لدورتين على السلك الأرضي سيؤدي إلى تخفيف كبير للتداخل فوق 10 ميجاهرتز (didiu 2006)؛ بالنسبة إلى 25-30MHz، من الممكن زيادة السعة Y على الأرض، ولف طبقة نحاسية خارج المحول، وتغيير PCBLAYOUT، وتوصيل حلقة مغناطيسية صغيرة بسلك مزدوج متعرج أمام خط الإخراج، بحد أدنى 10 لفات، وقم بتركيب مرشح RC على طرفي أنبوب مقوم الإخراج.
30-50يحدث MHZ بشكل عام بسبب فتح وإغلاق ترانزستورات MOS عالية السرعة، والتي يمكن حلها عن طريق زيادة مقاومة قيادة MOS، باستخدام الترانزستورات البطيئة 1N4007 للدوائر العازلة RCD، والترانزستورات البطيئة 1N4007 لجهد إمداد الطاقة VCC.
100-200يحدث ميغاهيرتز بشكل عام بسبب تيار الاسترداد العكسي لأنبوب مقوم الإخراج، ويمكن ربط الخرز المغناطيسي على أنبوب المقوم
معظم الترددات بين 100 ميجا هرتز و 200 ميجا هرتز ترجع إلى الثنائيات PFCMOSFET و PFC. في الوقت الحاضر، يكون للخرزات المغناطيسية لسلسلة الصمام الثنائي MOSFET وPFC تأثير، ويمكن للاتجاه الأفقي أن يحل المشكلة بشكل أساسي، لكن الاتجاه الرأسي عاجز للغاية
يؤثر إشعاع تحويل مصادر الطاقة بشكل عام فقط على نطاق التردد الذي يقل عن 100 متر. من الممكن أيضًا إضافة دوائر امتصاص مقابلة على MOS والثنائيات، ولكن سيتم تقليل الكفاءة.
تدابير لمنع EMI عند تصميم تبديل مصادر الطاقة
1. تقليل مساحة رقائق النحاس PCB لعقد الدائرة الصاخبة إلى أقصى حد ممكن؛ مثل استنزاف ومجمع أنبوب التبديل، وعقد اللف الأساسي، وما إلى ذلك.
2. احتفظ بأطراف الإدخال والإخراج بعيدًا عن المكونات المزعجة مثل حزم أسلاك المحولات، وقلوب المحولات، وزعانف تبديد الحرارة لأنابيب التبديل، وما إلى ذلك.
3. احتفظ بمكونات الضوضاء (مثل حزم أسلاك المحولات غير المحمية، وقلوب المحولات غير المحمية، وأنابيب التبديل، وما إلى ذلك) بعيدًا عن حافة العلبة، حيث من المحتمل أن تكون حافة العلبة قريبة من سلك التأريض الخارجي في الوضع الطبيعي عملية.
4. إذا كان المحول لا يستخدم درع المجال الكهربائي، فاحتفظ بجسم التدريع وزعانف تبديد الحرارة بعيدًا عن المحول.
5. قلل مساحة حلقات التيار التالية قدر الإمكان: المقومات الثانوية (الخرج)، وأجهزة تحويل الطاقة الأولية، ودوائر محرك البوابة (القاعدية)، والمقومات المساعدة.
6. لا تخلط حلقة تغذية مرتدة محرك الأقراص للبوابة (القاعدة) مع دائرة التبديل الأساسية أو دائرة المقوم المساعدة.
7. قم بضبط قيمة مقاومة التخميد وتحسينها بحيث لا تنتج صوت رنين أثناء الوقت الميت للمفتاح.
8. منع تشبع الحث تصفية EMI.
9. احتفظ بعقد الانحناء ومكونات الدائرة الثانوية بعيدًا عن جسم التدريع للدائرة الأولية أو المشتت الحراري لأنبوب التبديل.
10. احتفظ بالعقد المتأرجحة والأجسام المكونة للدائرة الأولية بعيدًا عن التدريع أو زعانف تبديد الحرارة.
11. ضع مرشح EMI للإدخال عالي التردد بالقرب من كابل الإدخال أو طرف الموصل.
12. احتفظ بمرشح EMI ذو الإخراج عالي التردد بالقرب من طرف سلك الإخراج.
13. حافظ على مسافة معينة بين رقائق النحاس الموجودة على لوحة PCB المقابلة لمرشح EMI وجسم المكون.
14. ضع بعض المقاومات على دائرة مقوم الملف المساعد.
15. قم بتوصيل مقاومات التخميد على التوازي على ملف القضيب المغناطيسي.
16. قم بتوصيل مقاومات التخميد على التوازي عند طرفي مرشح التردد اللاسلكي الناتج.
17. في تصميم ثنائي الفينيل متعدد الكلور، يُسمح بوضع مكثفات سيراميكية 1nF/500V أو سلسلة من المقاومات، والتي يمكن توصيلها بين الطرف الثابت الأساسي للمحول والملف المساعد.
18. احتفظ بمرشح EMI بعيدًا عن محول الطاقة؛ تجنب بشكل خاص تحديد المواقع في نهاية التغليف.
19. عندما تكون مساحة PCB كافية، يمكن ترك موضع قدم لوضع ملف التدريع وموضع لوضع مخمد RC على PCB. يمكن توصيل مخمد RC عبر طرفي ملف التدريع.
20. إذا سمحت المساحة، ضع مكثف رصاص شعاعي صغير (مكثف ميلر، مكثف 10 pF/1kV) بين المصرف وبوابة ترانزستور تأثير مجال الطاقة.
21. إذا سمحت المساحة، ضع مخمد RC صغيرًا عند طرف خرج التيار المستمر.
22. لا تضع مقبس التيار المتردد على المشتت الحراري لأنبوب المفتاح الأساسي.
