ما هي العوامل التي تؤثر على دقة المجهر الإلكتروني النافذ؟
أ. قطر بقعة شعاع الإلكترون الحادثة: هو حد قوة حل الماسح بالمجهر الإلكتروني. بشكل عام ، يمكن تقليل الحد الأدنى لقطر بقعة الحزمة لمدفع الإلكترون الكاثود الساخن إلى 6 نانومتر ، ويمكن لمدفع الإلكترون الانبعاث الميداني أن يجعل قطر بقعة الشعاع أصغر من 3 نانومتر.
ب. تأثير التمدد لحزمة الإلكترون الساقطة في العينة: تعتمد درجة الانتشار على طاقة إلكترونات الحزمة الساقطة والعدد الذري للعينة. كلما زادت طاقة الحزمة الساقطة ، كلما قل العدد الذري للعينة ، زاد حجم حزمة الإلكترون ، وتزداد المنطقة التي يتم فيها إنشاء الإشارة مع انتشار حزمة الإلكترون ، مما يقلل من الدقة.
طريقة التصوير وإشارة التعديل المستخدمة: عند استخدام الإلكترون الثانوي كإشارة تعديل ، نظرًا لانخفاض طاقته (أقل من 50 فولتًا) وقصر المسار الحر (حوالي 10-100 نانومتر) ، فإن الطبقة السطحية فقط من 50-100 نانومتر يمكن للإلكترونات الثانوية في نطاق العمق الهروب فقط من سطح العينة ، وعدد التشتت الذي يحدث محدودًا للغاية ، ولا يتوسع بشكل أساسي بشكل جانبي. لذلك ، فإن دقة صورة الإلكترون الثانوية تساوي تقريبًا قطر بقعة الحزمة. عند استخدام الإلكترونات المتناثرة كإشارة تعديل ، تكون طاقة الإلكترونات المتناثرة مرتفعة نسبيًا وقدرة الاختراق قوية ، بحيث يمكنها الهروب من منطقة أعمق في العينة (حوالي 30 بالمائة من العمق الفعال). في نطاق العمق هذا ، يكون للإلكترونات الساقطة تمدد جانبي عريض إلى حد ما ، لذا فإن دقة صورة الإلكترون المبعثر الخلفي أقل من صورة الإلكترون الثانوية ، بشكل عام حول 500-2000 نانومتر. إذا تم استخدام أوضاع تشغيل أخرى مثل امتصاص الإلكترونات والأشعة السينية والتألق المهبطي والتوصيل الناجم عن الحزمة أو الجهد كإشارات تعديل ، نظرًا لأن الإشارات تأتي من منطقة تشتت حزمة الإلكترون بأكملها ، فإن دقة صور المسح التي تم الحصول عليها تكون منخفضة نسبيًا ، بشكل عام عند l 000 nm أو أعلى l 0000 nm.
