قناة نقل لتحويل مزود الطاقة بتقنية EMI
تتركز مصادر تداخل EMI لإمدادات الطاقة التبديل في مفاتيح الطاقة ، وثنائيات المقوم ، ومحولات التردد العالي ، إلخ.
(1). قناة التداخل الموصل
(1) اقتران بالسعة
(2) اقتران حثي
(3) اقتران مقاوم
أ. اقتران التوصيل المقاوم الناجم عن المقاومة الداخلية لإمدادات الطاقة العامة
ب. اقتران التوصيل المقاوم الناجم عن مقاومة السلك الأرضي المشترك
ج. اقتران التوصيل المقاوم الناجم عن مقاومة الخط المشترك
تحويل التيار الكهربائي قمع تكنولوجيا EMI
(1) تقليل dv/dt و di/dt (تقليل قيمة الذروة وإبطاء انحدارهما)
(2) تطبيق معقول للمتغير لتقليل جهد الطفرة
(3) تعمل شبكة التخميد على منع التجاوز
(4) استخدام الثنائيات مع خصائص الاسترداد الناعمة لتقليل EMI عالي التردد
(5) تصحيح عامل القدرة النشط وتقنيات التصحيح التوافقي الأخرى
(6) استخدم مرشح خط الطاقة المصمم بشكل صحيح
(7) معالجة التأريض المعقولة
(8) تدابير التدريع الفعالة
(9) تصميم ثنائي الفينيل متعدد الكلور معقول
تبديل مصادر التداخل التكنولوجية لإمدادات الطاقة EMI
(1) أنبوب مفتاح الطاقة
يعمل أنبوب مفتاح الطاقة في حالة تحويل دورة التشغيل والإيقاف السريع، ويتغير كل من dv/dt وdi/dt بسرعة. لذلك ، فإن أنبوب مفتاح الطاقة ليس فقط مصدر التداخل الرئيسي لاقتران المجال الكهربائي ، ولكن أيضًا مصدر التداخل الرئيسي لاقتران المجال المغناطيسي.
(2)
يتركز مصدر EMI لمحولات التردد العالي في التحول الدوري السريع لـ DI/DT المقابل لحث التسرب. لذلك ، تعد المحولات عالية التردد مصدرًا مهمًا للتداخل لاقتران المجال المغناطيسي.
(3) الصمام الثنائي المعدل
يتركز مصدر EMI لصمام الثنائي المقوم في خصائص الاسترداد العكسي. ستنتج النقطة المتقطعة لتيار الانتعاش العكسي DV/DT عالي الدقة في الحث (الحث الرصاص ، الحث الطائمي ، إلخ) ، مما يؤدي إلى تدخل كهرومغناطيسي قوي.
(4) ثنائي الفينيل متعدد الكلور
لكي تكون دقيقة ، PCB هي قناة اقتران مصادر التداخل المذكورة أعلاه. تتوافق جودة ثنائي الفينيل متعدد الكلور بشكل مباشر مع جودة قمع مصادر EMI المذكورة أعلاه.
التحكم في محاثة التسرب للمحولات عالية التردد
يعد محاثة التسرب للمحولات عالية التردد أحد الأسباب المهمة لإيقاف جهد ذروة مفاتيح الطاقة. لذلك ، أصبح التحكم في الحث على التسرب هو المشكلة الأساسية لحل EMI الناتجة عن محولات التردد العالي.
