المبدأ الأساسي لتبديل مصدر الطاقة هو استخدام الموجة المربعة PWM لقيادة أنبوب الطاقة MOS
بصفتي مهندسًا للبحث والتطوير في مجال الإمداد بالطاقة ، فمن الطبيعي أنني غالبًا ما أتعامل مع شرائح مختلفة. قد لا يعرف بعض المهندسين ما بداخل الشريحة جيدًا. ينتقل العديد من الطلاب مباشرةً إلى صفحة التطبيق في ورقة البيانات عند تطبيق شريحة جديدة ، وبناء الجهاز المحيطي وفقًا للتصميم الموصى به. منتهي. وبهذه الطريقة ، حتى إذا لم تكن هناك مشكلة في التطبيق ، يتم تجاهل المزيد من التفاصيل الفنية ، ولم يتم تجميع خبرة أفضل لنموها التقني.
1. مرجع الجهد
على غرار مصدر الطاقة المرجعي لتصميم الدائرة على مستوى اللوحة ، يوفر الجهد المرجعي الداخلي للرقاقة جهدًا مرجعيًا ثابتًا للدوائر الأخرى للرقاقة. يتطلب هذا الجهد المرجعي دقة عالية واستقرارًا جيدًا وانجرافًا صغيرًا في درجة الحرارة. يُطلق على الجهد المرجعي داخل الشريحة أيضًا اسم الجهد المرجعي ذي فجوة الحزمة ، لأن قيمة الجهد هذه مشابهة لجهد فجوة النطاق للسيليكون ، لذلك يطلق عليه مرجع فجوة الحزمة. هذه القيمة حوالي 1.2 فولت ، وهي بنية كما هو موضح في الشكل أدناه:
هنا سوف نعود إلى الكتاب المدرسي للحديث عن الصيغة ، معادلة التيار والجهد لتقاطع PN:
It can be seen that it is an exponential relationship, and Is is the reverse saturation leakage current (that is, the leakage current caused by the minority carrier drift of the PN junction). This current is proportional to the area of the PN junction! That is, Is->S.
بهذه الطريقة ، يمكن استنتاج Vbe=VT * ln (Ic / Is)!
بالعودة إلى الشكل أعلاه ، تم تحليل VX=VY بواسطة op amp ، ثم I1 * R1 plus Vbe 1= Vbe2 ، لذا يمكننا الحصول على: I 1= △ Vbe / R1 ، ولأن جهد البوابة M3 و M4 متماثلان ، فإن I 1= I2 الحالي ، لذلك تم اشتقاق الصيغة: I 1= I 2= VT * ln (N / R1 ) N هي نسبة منطقة تقاطع PN في Q1 Q2!
بالعودة إلى الشكل أعلاه ، تم تحليل VX=VY بواسطة op amp ، ثم I1 * R1 plus Vbe 1= Vbe2 ، لذا يمكننا الحصول على: I 1= △ Vbe / R1 ، ولأن جهد البوابة M3 و M4 متماثلان ، فإن I 1= I2 الحالي ، لذلك تم اشتقاق الصيغة: I 1= I 2= VT * ln (N / R1 ) N هي نسبة منطقة تقاطع PN في Q1 Q2!
بهذه الطريقة ، نحصل أخيرًا على المعيار المرجعي Vref=I2 * R2 بالإضافة إلى Vbe2 ، النقطة الأساسية: I1 له معامل درجة حرارة موجب ، و Vbe معامل درجة حرارة سالب ، ثم نضبطه من خلال القيمة N ، لكن يمكن أن يحقق تعويض درجة حرارة جيدة جدا! للحصول على جهد مرجعي ثابت. تم تصميم N بشكل عام وفقًا لـ 8 في الصناعة. إذا كنت ترغب في الوصول إلى معامل درجة حرارة صفري ، فاحسب Vref=Vbe2 زائد 17.2 * VT وفقًا للصيغة ، بحيث يكون حوالي 1.2 فولت. هناك مشاكل مثل تموج إمداد الطاقة PSRR ، والتي تقتصر على المستوى ولا يمكن تعميقها. المخطط النهائي مثل هذا ، وتصميم المرجع بالطبع خاص جدًا:
