تبديل مصادر الطاقة يسحب تخزين الطاقة من مكثفات الإخراج
في مخطط علاقة شحنة الجهد، يتم تمثيل المكثف بخط قطري، والطاقة المخزنة في المكثف هي المساحة الموجودة أسفل هذا الخط. على الرغم من أن سعة خرج الطاقة MOSFETs غير خطية وتختلف وفقًا للتغيرات في جهد مصدر التصريف، فإن تخزين الطاقة في سعة الخرج لا يزال هو المنطقة التي تحتويها السعة غير الخطية دون اتصال. لذلك، إذا تمكنا من العثور على خط مستقيم يعطي نفس مساحة منحنى سعة الخرج الموضح في الشكل 1، فإن ميل الخط هو بالضبط سعة الخرج المكافئة التي تنتج نفس تخزين الطاقة.
بالنسبة لبعض-وحدات MOSFET ذات التقنية المستوية القديمة، قد يستخدم المصممون تركيب المنحنى للعثور على سعة الخرج المكافئة استنادًا إلى قيم سعة الخرج في جدول البيانات عند جهد مصدر التصريف المحدد عادةً بجهد 25 فولت.
يوضح الشكل 2 القيم المقاسة لسعة الخرج والمنحنى المجهز الذي تم الحصول عليه من الصيغة (3). بالمقارنة بتقنية MOSFET-القديمة الموضحة في الشكل 2 (أ)، فإن أدائها جيد. ومع ذلك، بالنسبة للدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة ذات خصائص سعة الخرج غير الخطية التي تستخدم تقنيات جديدة مثل تقنية الوصلة الفائقة، فإن تركيب المنحنى الأسي البسيط لا يكون في بعض الأحيان جيدًا بما فيه الكفاية. يوضح الشكل 2 (ب) سعة الخرج المقاسة للتكنولوجيا الجديدة MOSFET والمنحنى المجهز الذي تم الحصول عليه باستخدام الصيغة (3). بالنسبة لقيمة سعة الخرج المكافئة، فإن الفجوة بين الاثنين في منطقة الجهد العالي يمكن أن تسبب فرقًا كبيرًا، لأنه في صيغة التكامل، يتم ضرب الجهد بالسعة. سيؤدي التقدير في الشكل 2 (ب) إلى سعة مكافئة أكبر بكثير، مما قد يضلل التصميم الأولي للمحول.
إذا كانت قيمة سعة الخرج تختلف وفقًا لجهد مصدر التصريف، فيمكن حساب تخزين الطاقة في سعة الخرج باستخدام الصيغة (4). على الرغم من أن منحنى السعة معروض في جدول البيانات، إلا أنه ليس من السهل قراءة قيمة السعة من المخطط. لذلك، استنادًا إلى جهد مصدر التصريف، يتم توفير تخزين الطاقة في مكثف الخرج من خلال المخطط الموجود في جدول بيانات MOSFET * الطاقة الجديدة. باستخدام المنحنى الموضح في الشكل 3 والصيغة (5)، يمكن الحصول على سعة الخرج المكافئة عند جهد ناقل التيار المباشر (DC) المطلوب.
