حل مشكلة الإشعاع الزائد في مصدر الطاقة
ضمن 1 ميجا هرتز:
تداخل الوضع التفاضلي هو العامل الرئيسي 1. زيادة السعة X؛ 2. إضافة محث الوضع التفاضلي. 3. يمكن التعامل مع مصدر الطاقة الصغير بواسطة مرشح من النوع PI (يوصى باختيار المكثفات الإلكتروليتية القريبة من المحول لتكون أكبر).
1M-5 ميغاهيرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية تداخل اللمس التفاضلي وتحليل أي نوع من التداخل يتجاوز المعيار وحله؛
5 ميجا هرتز:
ما سبق هو تداخل اللمس الشائع بشكل أساسي، وذلك باستخدام طريقة قمع اللمس الشائع. بالنسبة للقذيفة المؤرضة، في الخط الأرضي مع حلقة مغناطيسية حول دائرتين، سيكون التداخل أكثر من 10 ميجا هرتز مع توهين أكبر (diudiu2006)؛ لـ 25 - 30MHZ ولكن يمكن استخدامه لزيادة السعة Y على الأرض، في المحول خارج نحاس الخبز، قم بتغيير PCBLAYOUT، خط الإخراج أمام توصيل سلكين ولف صغير حلقة مغناطيسية، ما لا يقل عن 10 لفات حول أطراف أنبوب مقوم الإخراج ومرشح RC.
1M-5 ميجا هرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام جانب الإدخال بالتوازي مع سلسلة من المكثفات X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل التداخل الذي يتجاوز المعيار ولحل المشكلة، 1. بالنسبة للتداخل في الوضع التفاضلي يتجاوز المعيار، يمكن أن يكون تم تعديلها إلى سعة X، وإضافة محاثات الوضع التفاضلي، ومحاثة الوضع التفاضلي؛ 2. بالنسبة لتداخل الوضع المشترك الذي يتجاوز المعيار، يمكن إضافته إلى محاثة الوضع الشائع، واختيار كمية معقولة من الحث للتثبيط؛ 3. يمكنك تغيير خصائص الصمام الثنائي المقوم للتعامل مع زوج من الثنائيات السريعة، مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدلة العادية 1N4007.
فوق 5 ميجا هرتز:
تداخل اللمس الشائع هو التداخل الرئيسي، ويتم استخدام طريقة قمع اللمس الشائع.
بالنسبة للغلاف المؤرض، في الخط الأرضي مع سلسلة حلقة مغناطيسية حول 2-3 سيكون هناك تداخل أكثر من 10 ميجاهرتز له تأثير توهين أكبر؛ يمكن اختيار لصق رقائق النحاس مباشرة بعد قلب المحول، حلقة مغلقة من رقائق النحاس. تعامل مع دائرة امتصاص مقوم الإخراج الخلفي وحجم سعة تحويلة الدائرة الكبيرة الأساسية.
بالنسبة لتردد 20 ميجا هرتز-30:
1. بالنسبة لفئة من المنتجات، يمكن استخدامها لضبط سعة Y2 على الأرض أو تغيير موضع مكثف Y2؛
2. اضبط موضع السعة Y1 وقيمة المعلمة بين الجانبين الأساسي والثانوي؛
3. لف رقائق النحاس على الجزء الخارجي من المحول؛ إضافة طبقة التدريع إلى الطبقة الأعمق للمحول؛ ضبط ترتيب اللفات المحولات.
4. تغيير تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور.
5. أمام خط الإخراج، قم بتوصيل مغو وضع مشترك صغير بسلكين متوازيين؛
6. مقوم الإخراج بالتوازي مع طرفي مرشح RC وضبط المعلمات المعقولة.
7. أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛
8. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الدخل للمحول.
9. يمكن استخدامه لزيادة مقاومة محرك MOS.
