مقدمة لقياس جودة الأنبوب من ثلاث مراحل بواسطة multimeter
أولاً ، دعنا نتحدث عن الدائرة المكافئة الداخلية للترانزستور ، كما هو مبين في الشكل. واحد على اليسار هو ترانزستور NPN ، والآخر على اليمين هو الدائرة المكافئة لترانزستور NPN. يمكن ملاحظة أنه بالنسبة لترانزستورات نوع NPN ، يكون تقاطعها (تقاطع PN بين القاعدة B والإعانة E للترانزستور) و BC تقاطع (تقاطع PN بين القاعدة B و Collector C للترانزستور) يعادل ثنائيات مع اثنين من المحطات الإيجابية المتصلة. وبالمثل ، يمكن أن يكون الترانزستور PNP على الجانب الأيمن من الرسم البياني يعادل ثنائيتين مع محطات سلبية متصلة.
من التحليل أعلاه ، يمكن ملاحظة أنه من أجل الحكم على جودة الترانزستور ، من الضروري فقط قياس جودة تقاطعات BE و BC باستخدام كتلة الصمام الثنائي من مقياس MultiMeter الرقمي.
أخذ الترانزستور السيليكون من نوع NPN شائع الاستخدام كمثال (لم يعد ترانزستور الجرمانيوم تقريبًا) ، عند قياسه ، قم بضبط مقياس التعدد الرقمي على وضع الصمام الثنائي (كما هو موضح في الشكل) ، واستخدم المسبار الأحمر للمقياس المتعدد للاتصال بول B من الترانزستور ، ثم استخدم المسبار الأسود للاتصال باللغة الإلكترونية و C-Pole للمحولات على التوالي. في هذا الوقت ، تكون القراءة التي يتم عرضها بواسطة multimeter هي قطرة الجهد الأمامي لتقاطع PN ، والتي تكون عمومًا بين ". 500-700". ثم استخدم المسبار الأسود للاتصال بـ B-Pole للترانزستور ، والمسبار الأحمر للاتصال بـ E-Pole و C-Pole للترانزستور. في هذا الوقت ، فإن القراءة التي يتم عرضها بواسطة multimeter هي قطرة الجهد العكسي لتقاطع PN ، والقراءة المعروضة هي "1". بهذه الطريقة ، يُعتقد عمومًا أن الترانزستور جيد.
عند القياس ، إذا كانت قراءة تقاطع معين هي ". 000" أو انخفاض الضغط في كلا الاتجاهين هو "1" ، فإن تقاطع الأنبوب تالف ولا يمكن استخدام الأنبوب.
للحصول على ترانزستور جيد ، قم بقياس انخفاض الجهد بين محطات CE باستخدام كتلة الصمام الثنائي من مقياس متعدد. بغض النظر عن انخفاض الجهد الأمامي أو العكسي ، يجب أن تكون القراءة على مقياس متعدد "1". إذا كانت القراءة ". 000" ، تم تقسيم الترانزستور ولا يمكن استخدامه. إذا كانت هناك قيمة معينة معروضة ، فهذا يشير إلى أن ICEO الحالي للأنبوب مرتفع نسبيًا. على الرغم من أنه يمكن استخدامه ، إلا أن استقرار عمله ضعيف ولا ينصح باستخدامه.
