كيفية حل مشكلة الإشعاع الزائد لوحدة تحويل التيار الكهربائي

كيفية حل مشكلة الإشعاع الزائد لوحدة تحويل التيار الكهربائي

تحويل جهد مصدر الطاقة، معدل التغيير الحالي مرتفع جدًا، مما يؤدي إلى زيادة شدة التداخل؛ تتركز مصادر التداخل بشكل أساسي في فترة تبديل الطاقة ويتم توصيلها بالمشتت الحراري والمحول عالي المستوى، بالنسبة لموقع مصدر تداخل الدائرة الرقمية أكثر وضوحًا؛ تردد التبديل ليس مرتفعًا (من عشرات كيلو هرتز وعدة ميجا هرتز)، والشكل الرئيسي للتداخل هو تداخل التوصيل وتداخل المجال القريب.

نقاط التردد الفردية المحددة على الحل هي كما يلي:

ضمن 1 ميجا هرتز:
تداخل الوضع التفاضلي هو العامل الرئيسي 1. زيادة سعة X؛ 2. إضافة محاثة الوضع التفاضلي. 3. يمكن استخدام مصدر طاقة صغير لمعالجة مرشح من نوع PI (يوصى باختيار المكثفات الإلكتروليتية القريبة من المحول بشكل أكبر).

1M-5 ميغاهيرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام جانب الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية تداخل اللمس التفاضلي وتحليل نوع التداخل الذي يتجاوز المعيار وحله؛

5 ميجا هرتز:
ما سبق هو تداخل اللمس الشائع بشكل أساسي، وذلك باستخدام طريقة قمع اللمس الشائع. بالنسبة للقذيفة المؤرضة، في الخط الأرضي مع حلقة مغناطيسية حول دائرتين، سيكون التداخل أكثر من 10 ميجا هرتز مع توهين أكبر (diudiu2006)؛ لـ 25 - 30MHZ ولكن يمكن استخدامه لزيادة السعة Y على الأرض، في المحول خارج نحاس الخبز، قم بتغيير PCBLAYOUT، خط الإخراج أمام توصيل سلكين ولف صغير حلقة مغناطيسية، ما لا يقل عن 10 لفات حول أطراف أنبوب مقوم الإخراج ومرشح RC.

1M-5 ميجا هرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام جانب الإدخال بالتوازي مع سلسلة من السعة X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل التداخل الذي يتجاوز المعيار ولحل المشكلة، 1. بالنسبة لتداخل الوضع التفاضلي يتجاوز المعيار، يمكن أن يكون تم تعديلها إلى سعة X، أضف محث الوضع التفاضلي، محاثة الوضع التفاضلي؛ 2. بالنسبة لتداخل الوضع المشترك الذي يتجاوز المعيار، يمكن إضافته إلى محاثة الوضع الشائع، واختيار كمية معقولة من الحث للتثبيط؛ 3. يمكنك تغيير خصائص الصمام الثنائي المقوم للتعامل مع زوج من الثنائيات السريعة، مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدلة العادية 1N4007.

فوق 5 ميجا هرتز:
تداخل اللمس الشائع هو التداخل الرئيسي، ويتم استخدام طريقة قمع اللمس الشائع.

بالنسبة للقذيفة المؤرضة، في الخط الأرضي مع سلسلة حلقة مغناطيسية حول 2-3 سيكون هناك تداخل أكثر من 10 ميجا هرتز له تأثير توهين أكبر؛ يمكن اختيار لصق رقائق النحاس مباشرة بعد قلب المحول، حلقة مغلقة من رقائق النحاس. تعامل مع دائرة امتصاص مقوم الإخراج الخلفي وحجم سعة تحويلة الدائرة الكبيرة الأساسية.

بالنسبة لتردد 20 ميجا هرتز-30:
1. بالنسبة لفئة من المنتجات، يمكن استخدامها لضبط سعة Y2 على الأرض أو تغيير موضع مكثف Y2؛

2. اضبط موضع السعة Y1 وقيمة المعلمة بين الجانبين الأساسي والثانوي؛

3. قم بتحميل رقائق النحاس على الجزء الخارجي من المحول؛ إضافة طبقة التدريع إلى الطبقة الأعمق للمحول؛ ضبط ترتيب اللفات المحولات.

4. تغيير تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور.

5. خط الإخراج أمام اتصال ملف متوازي بسلكين لمحث صغير للوضع المشترك ؛

6. مقوم الإخراج بالتوازي مع طرفي مرشح RC وضبط المعلمات المعقولة.

7. أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛

8. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الدخل للمحول.

9. يمكن استخدامه لزيادة مقاومة محرك MOS.

30 م-50 ميجاهرتز:
1. يمكن حل المشكلة بشكل عام بسبب تشغيل/إيقاف أنبوب MOS عالي السرعة، عن طريق زيادة مقاوم محرك MOS، ودائرة RCD العازلة باستخدام أنبوب بطيء 1N4007، وجهد إمداد VCC مع أنبوب بطيء 1N4007.

2. دائرة عازلة RCD باستخدام أنبوب بطيء 1N4007؛

3. VCC جهد العرض مع أنبوب بطيء 1N4007 لحلها؛

4. أو الواجهة الأمامية لخط الإخراج في سلسلة مع ملف متوازي بسلكين لمحث صغير للوضع المشترك ؛

5. قم بتوصيل دائرة امتصاص صغيرة بالتوازي مع طرف DS الخاص بـ MOSFET؛

6 . أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛

7. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الإدخال للمحول.

8. تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور عندما يشكل المكثف الإلكتروليتي الكبير والمحول وMOS حلقة الدائرة صغيرة قدر الإمكان؛

9. المحولات، الصمام الثنائي الناتج، خرج مكثف كهربائيا موجة مسطحة تشكل حلقة الدائرة صغيرة قدر الإمكان.