كيفية حل مشكلة تبديل وحدات PSU التي تنبعث منها إشعاعات زائدة
تبديل جهد مصدر الطاقة، معدل التغيير الحالي مرتفع جدًا، مما يؤدي إلى زيادة شدة التداخل؛ تتركز مصادر التداخل بشكل رئيسي في فترة تبديل الطاقة وكذلك متصلة بالمبدد الحراري والمحول عالي المستوى، على عكس موقع مصدر تداخل الدائرة الرقمية بشكل أكثر وضوحًا؛ تردد التبديل ليس مرتفعًا (من عشرات الكيلو هرتز وبضعة ميغا هرتز)، والشكل الرئيسي للتداخل هو توصيل التداخل والتداخل في المجال القريب.
نقاط التردد الفردية المحددة على الحل هي كما يلي:
ضمن 1 ميجا هرتز:
تداخل الوضع التفاضلي هو العامل الرئيسي 1. زيادة سعة X؛ 2. إضافة محاثة الوضع التفاضلي. 3. يمكن استخدام مصدر طاقة صغير لمعالجة مرشح من نوع PI (يوصى باختيار المكثفات الإلكتروليتية القريبة من المحول بشكل أكبر).
1M-5 ميغاهيرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية تداخل اللمس التفاضلي وتحليل نوع التداخل الذي يتجاوز المعيار وحله؛
5 ميجا هرتز:
أعلاه، يتم تداخل اللمس الشائع بشكل أساسي باستخدام طريقة قمع اللمس الشائع. بالنسبة للقذيفة المؤرضة، في الخط الأرضي مع حلقة مغناطيسية حول دائرتين، سيكون التداخل أكثر من 10 ميجا هرتز مع توهين أكبر (diudiu2006)؛ لـ 25 - 30MHZ ولكن يمكن استخدامه لزيادة السعة Y إلى الأرض، في المحول خارج نحاس الخبز، قم بتغيير PCBLAYOUT، خط الإخراج أمام توصيل سلكين ولف صغير حلقة مغناطيسية، ما لا يقل عن 10 لفات حول أطراف أنبوب مقوم الإخراج ومرشح RC.
1M-5 ميجا هرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام جانب الإدخال بالتوازي مع سلسلة من المكثفات X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل أي تداخل يتجاوز المعيار ولحل المشكلة، 1. بالنسبة لتداخل الوضع التفاضلي يتجاوز المعيار، يمكن أن يكون تم تعديلها إلى سعة X، وإضافة محاثات الوضع التفاضلي، ومحاثة الوضع التفاضلي؛ 2. بالنسبة لتداخل الوضع المشترك الذي يتجاوز المعيار، يمكن إضافته إلى محاثة الوضع الشائع، واختيار كمية معقولة من الحث للتثبيط؛ 3. يمكنك تغيير خصائص الصمام الثنائي المقوم للتعامل مع زوج من الثنائيات السريعة، مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدلة العادية 1N4007.
فوق 5 ميجا هرتز:
تداخل اللمس الشائع هو التداخل الرئيسي، ويتم استخدام طريقة قمع اللمس الشائع.
بالنسبة للغلاف المؤرض، في الخط الأرضي مع سلسلة حلقة مغناطيسية حول 2-3 سيكون هناك تداخل أكثر من 10 ميجاهرتز له تأثير توهين أكبر؛ يمكن اختيار لصق رقائق النحاس مباشرة بعد قلب المحول، حلقة مغلقة من رقائق النحاس. تعامل مع دائرة امتصاص مقوم الإخراج الخلفي وحجم سعة تحويلة الدائرة الكبيرة الأساسية.
بالنسبة لتردد 20 ميجا هرتز-30:
1. بالنسبة لفئة من المنتجات، يمكن استخدامها لضبط سعة Y2 على الأرض أو تغيير موضع مكثف Y2؛
2. اضبط موضع السعة Y1 وقيمة المعلمة بين الجانبين الأساسي والثانوي؛
3. لف رقائق النحاس على الجزء الخارجي من المحول؛ إضافة طبقة التدريع إلى الطبقة الأعمق للمحول؛ ضبط ترتيب اللفات المحولات.
4. تغيير تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور.
5. أمام خط الإخراج، قم بتوصيل مغو وضع مشترك صغير بسلكين متوازيين؛
6. مقوم الإخراج بالتوازي مع طرفي مرشح RC وضبط المعلمات المعقولة.
7. أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛
8. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الدخل للمحول.
9. يمكن استخدامه لزيادة مقاومة محرك MOS.
