كيفية حل مشكلة الإشعاع الزائد لإمدادات الطاقة
معدل التغير في الجهد والتيار لمصدر طاقة التحويل مرتفع جدًا، وكثافة التداخل المتولدة كبيرة نسبيًا؛ يتركز مصدر التداخل بشكل أساسي خلال فترة تبديل الطاقة والمبرد والمحول عالي المستوى المتصل به، ويكون موضع مصدر التداخل بالنسبة للدائرة الرقمية واضحًا نسبيًا؛ تردد التبديل ليس مرتفعًا (من عشرات الكيلو هرتز وعدة ميجا هرتز) ، ويتم إجراء الأشكال الرئيسية للتداخل التداخل والتداخل في المجال القريب.
الحلول المحددة لكل نقطة تردد تتجاوز المعيار هي كما يلي:
ضمن 1 ميجا هرتز:
تدخل الوضع التفاضلي بشكل أساسي 1. زيادة سعة X؛ 2. إضافة محاثة الوضع التفاضلي. 3. يمكن معالجة مصدر الطاقة الصغير بواسطة مرشح PI (يوصى باختيار مكثف كهربائي أكبر بالقرب من المحول).
1M-5 ميغاهيرتز:
الوضع التفاضلي وخلط الوضع الشائع، باستخدام محطة الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل أي نوع من التداخل يتجاوز المعيار وحله؛
5 ميجا هرتز:
يعتمد ما سبق بشكل أساسي على تداخل الفأرة المشتركة، ويتم اعتماد طريقة قمع الفأرة المشتركة. بالنسبة للحالة المؤرضة، فإن استخدام حلقة مغناطيسية على السلك الأرضي لدورتين سوف يخفف بشكل كبير من التداخل فوق 10 ميجا هرتز (diudiu2006)؛ بالنسبة إلى 25--30MHZ، يمكنك زيادة المكثف Y إلى الأرض ولف الجلد النحاسي خارج المحول، وتغيير PCBLAYOUT، وتوصيل حلقة مغناطيسية صغيرة بسلكين متوازيين أمام خط الإخراج، على الأقل 10 دورات، وقم بتوصيل مرشح RC على طرفي أنبوب مقوم الإخراج.
1M-5 ميجا هرتز:
خلط الوضع الشائع للوضع التفاضلي، باستخدام سلسلة من المكثفات X المتصلة بالتوازي عند الإدخال لتصفية تداخل الوضع التفاضلي وتحليل نوع التداخل الذي يتجاوز المعيار وحله. 1. بالنسبة لتداخل الوضع التفاضلي الذي يتجاوز المعيار، يمكنك ضبط السعة X وإضافة مغو الوضع التفاضلي، لضبط محاثة الوضع التفاضلي؛ 2. بالنسبة لتداخل الوضع الشائع الذي يتجاوز المعيار، يمكن إضافة محاثة الوضع الشائع، ويمكن اختيار محاثة معقولة لقمعها؛ 3. يمكن أيضًا تغيير خصائص الصمام الثنائي المقوم للتعامل مع زوج من الثنائيات السريعة مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدلة العادية 1N4007.
فوق 5 ميجا هرتز:
التركيز على تداخل الحركة المشتركة، واعتماد أسلوب قمع الحركة المشتركة.
بالنسبة لتأريض الغلاف، فإن استخدام حلقة مغناطيسية متسلسلة على السلك الأرضي لمدة 2-3 من الدورات سيكون له تأثير توهين أكبر على التداخل فوق 10 ميجا هرتز؛ يمكنك اختيار لصق رقائق النحاس على القلب الحديدي للمحول، وتكون رقائق النحاس عبارة عن حلقة مغلقة. تعامل مع حجم دائرة snubber لمقوم الإخراج الخلفي والسعة الموازية للدائرة الكبيرة الأولية.
بالنسبة لتردد 20 ميجا هرتز-30:
1. بالنسبة لفئة من المنتجات، يمكنك ضبط سعة Y2 على الأرض أو تغيير موضع السعة Y2؛
2. اضبط موضع المكثف Y1 وقيمة المعلمة بين الجانبين الأساسي والثانوي؛
3. لف رقائق النحاس على الجزء الخارجي من المحول؛ إضافة طبقة التدريع إلى الطبقة الأعمق للمحول؛ ضبط ترتيب اللفات المحولات.
4. تغيير تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور.
5. أمام خط الإخراج، قم بتوصيل محث صغير ذو الوضع المشترك بملف متوازي مزدوج السلك؛
6. قم بتوصيل مرشحات RC بالتوازي عند طرفي مقوم الإخراج وضبط المعلمات المعقولة؛
7. أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛
8. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الدخل للمحول.
9. يمكنك زيادة مقاومة محرك MOS.
30 م-50 ميجاهرتز:
1. يحدث هذا بشكل عام بسبب تشغيل وإيقاف أنابيب MOS عالية السرعة. يمكن حل المشكلة عن طريق زيادة مقاومة محرك MOS، باستخدام الأنابيب البطيئة 1N4007 للدائرة العازلة RCD، واستخدام الأنابيب البطيئة 1N4007 لجهد إمداد VCC.
2. دائرة عازلة RCD تتبنى الأنبوب البطيء 1N4007؛
3. يتم حل جهد مصدر الطاقة VCC بواسطة أنبوب بطيء 1N4007.
4. أو يتم توصيل الواجهة الأمامية لخط الإخراج على التوالي باستخدام محث صغير للوضع المشترك مع سلكين ملفوفين بالتوازي؛
5. قم بتوصيل دائرة سنوبر صغيرة بالتوازي مع طرف DS الخاص بـ MOSFET؛
6. أضف BEADCORE بين المحول وMOSFET؛
7. أضف مكثفًا صغيرًا إلى طرف جهد الإدخال للمحول.
8. عند تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور، يجب أن تكون حلقة الدائرة المكونة من مكثفات إلكتروليتية كبيرة ومحولات وMOS صغيرة قدر الإمكان؛
9. يجب أن تكون حلقة الدائرة المكونة من المحول وصمام الخرج ومكثف التحليل الكهربائي لتنعيم الخرج صغيرة قدر الإمكان.
50 م-100 ميجاهرتز:
يحدث ذلك بشكل عام بسبب تيار الاسترداد العكسي لأنبوب مقوم الإخراج،
1. يمكن تعليق الخرز المغناطيسي على أنبوب المعدل.
2. ضبط معلمات دائرة الامتصاص لمقوم الإخراج.
3. يمكن تغيير مقاومة الجانب الأساسي والثانوي عبر فرع المكثف Y، مثل إضافة BEADCORE إلى دبوس PIN أو توصيل المقاوم المناسب في السلسلة؛
4. من الممكن أيضًا تغيير MOSFET لإخراج الإشعاع من جسم الصمام الثنائي المقوم إلى الفضاء (مثل المقطع الحديدي MOSFET، المقطع الحديدي DIODE، تغيير نقطة التأريض للرادياتير).
5. أضف رقائق النحاس الواقية لقمع الإشعاع إلى الفضاء.
100 ميجاهرتز -200:
يحدث هذا بشكل عام بسبب تيار الاسترداد العكسي لأنبوب مقوم الإخراج. يمكن استخدامه لربط الخرز المغناطيسي على أنبوب المقوم بين 100 ميجا هرتز و200 ميجا هرتز. ولكن الاتجاه العمودي عاجز للغاية.
يؤثر إشعاع تحويل مصدر الطاقة بشكل عام فقط على نطاق التردد أقل من 100 متر. من الممكن أيضًا إضافة دائرة امتصاص مقابلة على MOS والصمام الثنائي، ولكن سيتم تقليل الكفاءة.
فوق 200 ميجا هرتز:
يحتوي مصدر طاقة التبديل بشكل أساسي على كمية صغيرة من الإشعاع، ويمكنه بشكل عام اجتياز معيار EMI.
