كيفية إصلاح مشكلة الإشعاع العالية لمزود الطاقة المحول
معدل التغيير في الجهد والتيار لمصدر طاقة التحويل مرتفع للغاية ، وشدة التداخل المتولدة كبيرة نسبيًا ؛ يتركز مصدر التداخل بشكل أساسي خلال فترة تبديل الطاقة ويكون المبرد والمحول عالي المستوى المتصلين به ، ويكون موضع مصدر التداخل بالنسبة للدائرة الرقمية واضحًا نسبيًا ؛ تردد التبديل ليست عالية (من عشرات الكيلو هرتز وعدة ميغا هرتز) ، الأشكال الرئيسية للتداخل هي التداخل والتداخل في المجال القريب.
الحلول المحددة لكل نقطة تردد تتجاوز المعيار هي كما يلي:
في نطاق 1 ميجا هرتز:
تداخل الوضع التفاضلي بشكل أساسي 1. زيادة السعة X ؛ 2. إضافة محاثة الوضع التفاضلي. 3. يمكن معالجة مصدر الطاقة الصغير بواسطة مرشح PI (يوصى بأن يكون مكثف التحليل الكهربائي القريب من المحول أكبر).
1 ميغا -5 ميغا هرتز:
الوضع التفاضلي وخلط الوضع الشائع ، باستخدام طرف الإدخال وسلسلة من المكثفات X لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل نوع التداخل الذي يتجاوز المعيار وحلها ؛
5 ميجا هرتز:
يعتمد ما سبق بشكل أساسي على تداخل الفأر المشترك ، وتم اعتماد طريقة قمع الفأرة المشتركة. بالنسبة للحالة المؤرضة ، فإن استخدام حلقة مغناطيسية على السلك الأرضي لدورتين سيخفف بشكل كبير من التداخل فوق 10 ميجا هرتز (diudiu2006) ؛ بالنسبة لـ 25--30 MHZ ، يمكنك زيادة مكثف Y إلى الأرض ولف الجلد النحاسي خارج المحول ، وتغيير PCBLAYOUT ، وتوصيل حلقة مغناطيسية صغيرة بسلكين متوازيين أمام خط الإخراج ، على الأقل 10 لفات ، وقم بتوصيل مرشح RC عند طرفي أنبوب معدل الإخراج.
1 ميغا -5 ميغا هرتز:
خلط الوضع التفاضلي المشترك ، باستخدام سلسلة من المكثفات X بالتوازي عند الإدخال لتصفية تداخل الوضع التفاضلي وتحليل أي نوع من التداخل يتجاوز المعيار وحلها. 1. لتداخل الوضع التفاضلي الذي يتجاوز المعيار ، يمكنك ضبط السعة X وإضافة محث الوضع التفاضلي ، لضبط محاثة الوضع التفاضلي ؛ 2. بالنسبة لتداخل الأسلوب الشائع الذي يتجاوز المعيار ، يمكن إضافة محاثة الأسلوب المشترك ، ويمكن اختيار محاثة معقولة لإخمادها ؛ 3. يمكن أيضًا تغيير خصائص الصمام الثنائي المعدل للتعامل مع زوج من الثنائيات السريعة مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدل العادي 1N4007.
فوق 5 ميجاهرتز:
ركز على تداخل الحافز المشترك ، واعتماد طريقة قمع المشاركة في الحركة.
بالنسبة لتأريض الغلاف ، فإن استخدام حلقة مغناطيسية متسلسلة على السلك الأرضي لـ 2-3 المنعطفات سيكون له تأثير توهين أكبر على التداخل فوق 10 ميجا هرتز ؛ يمكنك اختيار لصق رقائق النحاس بالنواة الحديدية للمحول ، والرقائق النحاسية عبارة عن حلقة مغلقة. تعامل مع حجم دائرة snubber لمعدل الإخراج الخلفي والسعة الموازية للدائرة الرئيسية الكبيرة.
بالنسبة إلى 20 ميغا -30 ميغا هرتز:
1. بالنسبة لفئة من المنتجات ، يمكنك ضبط سعة Y2 على الأرض أو تغيير موضع سعة Y2 ؛
2. اضبط موضع مكثف Y1 وقيمة المعلمة بين الجانبين الأولي والثانوي ؛
3. لف رقائق النحاس على الجزء الخارجي من المحولات. إضافة طبقة حماية إلى الطبقة الأعمق من المحولات ؛ اضبط ترتيب لفات المحولات.
4. تغيير تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور.
5. أمام خط الإخراج ، قم بتوصيل محث صغير مشترك مع لف متوازي بسلك مزدوج ؛
6. قم بتوصيل مرشحات RC بالتوازي عند طرفي مقوم الإخراج وضبط المعلمات المعقولة ؛
7. أضف BEADCORE بين المحول و MOSFET.
8. أضف مكثفًا صغيرًا إلى دبوس جهد الدخل للمحول.
9. يمكنك زيادة مقاومة محرك MOS.
30 ميغا -50 ميغا هرتز:
1. ينتج بشكل عام عن تشغيل وإيقاف تشغيل أنابيب MOS بسرعة عالية. يمكن حلها عن طريق زيادة مقاومة محرك MOS ، باستخدام أنابيب بطيئة 1N4007 لدائرة عازلة RCD ، واستخدام أنابيب بطيئة 1N4007 لجهد إمداد VCC.
2. دائرة عازلة RCD تتبنى أنبوب بطيء 1N4007.
3. يتم حل جهد إمداد الطاقة VCC بواسطة أنبوب بطيء 1N4007.
4. أو يتم توصيل الطرف الأمامي لخط الإخراج في سلسلة مع محث صغير مشترك مع سلكين ملفوفين بشكل متوازٍ ؛
5. قم بتوصيل دائرة snubber صغيرة بالتوازي مع دبوس DS من MOSFET ؛
6. أضف BEADCORE بين المحول و MOSFET ؛
7. أضف مكثفًا صغيرًا إلى دبوس جهد الدخل للمحول ؛
8. عند تخطيط ثنائي الفينيل متعدد الكلور ، يجب أن تكون حلقة الدائرة المكونة من المكثفات الإلكتروليتية الكبيرة والمحولات و MOS صغيرة قدر الإمكان ؛
9. يجب أن تكون حلقة الدائرة المكونة من المحول ، الصمام الثنائي الناتج والمكثف الكهربائي لتنعيم الخرج ، صغيرة قدر الإمكان.
50 ميغا -100 ميغا هرتز:
يحدث بشكل عام بسبب تيار الاسترداد العكسي لأنبوب مقوم الإخراج ،
1. يمكن تعليق الخرزات المغناطيسية على أنبوب المعدل.
2. ضبط معلمات دائرة الامتصاص لمعدل الإخراج.
3. يمكن تغيير مقاومة الجانب الأولي والثانوي عبر فرع المكثف Y ، مثل إضافة BEADCORE إلى دبوس PIN أو توصيل المقاوم المناسب في سلسلة ؛
4. من الممكن أيضًا تغيير MOSFET لإخراج الإشعاع من جسم الصمام الثنائي المعدل إلى الفضاء (مثل مشبك الحديد MOSFET ؛ مشبك الحديد DIODE ، تغيير نقطة التأريض للرادياتير).
5. إضافة رقائق النحاس التدريع لقمع الإشعاع إلى الفضاء.
