كل نوع من المنظم الخطي له مزايا وعيوب خاصة به ، وفي النهاية يعود الأمر للمصمم لتحديد ما إذا كان نوع معين من المنظم مناسبًا للاستخدام في الجهاز بناءً على متطلبات مثل جهد التسرب والتيار الأرضي وطرق تعويض الاستقرار .
يتم تحديد فرق الجهد وقيم التيار الأرضي بشكل أساسي بواسطة عنصر المرور للمنظم الخطي. بعد تحديد فرق الجهد وقيم التيار الأرضي ، يمكن تحديد نوع المعدات المناسبة لمنظم الجهد. كل من المنظمات الخطية الرئيسية الخمسة المستخدمة حاليًا لها عناصر مرور مختلفة وخصائص فريدة ، وهي مناسبة لتطبيقات المعدات المختلفة.
تتمثل ميزة منظم NPN القياسي في أنه يحتوي على تيار أرضي مستقر يساوي تقريبًا التيار الأساسي لترانزستور PNP ، وهو مستقر إلى حد ما حتى بدون مكثف الإخراج. يعتبر هذا النوع من مثبتات الجهد أكثر ملاءمة للمعدات ذات الفرق العالي في الجهد ، لكن فرق الجهد العالي يجعل هذا النوع من مثبتات الجهد غير مناسب للعديد من الأجهزة المدمجة.
بالنسبة للتطبيقات المضمنة ، تعد منظمات الترانزستور الالتفافية لـ NPN اختيارًا جيدًا نظرًا لانخفاض تسربها وسهولة استخدامها. ومع ذلك ، لا يزال هذا المنظم غير مناسب للمعدات التي تعمل بالبطارية بمتطلبات تسرب منخفضة للغاية ، لأن التسرب ليس منخفضًا بدرجة كافية. يمكن لأنبوب الالتفاف NPN عالي الكسب الخاص به أن يثبّت التيار الأرضي إلى بضعة أمبير ، كما أن هيكل الباعث المشترك له مقاومة خرج منخفضة للغاية. الترانزستور الجانبي PNP عبارة عن منظم جهد منخفض التسرب يكون فيه عنصر التجاوز عبارة عن ترانزستور PNP. فرق جهد الدخل والمخرج - بشكل عام بين 0. 3 إلى 0. 7V. نظرًا لجهد التسرب المنخفض ، فإن منظم الترانزستور الجانبي PNP مثالي للأجهزة المدمجة التي تعمل بالبطاريات. ومع ذلك ، فإن تيارها الأرضي الكبير سيقصر من عمر البطارية. بالإضافة إلى ذلك ، يمكن أن يؤدي انخفاض مكاسب ترانزستور PNP إلى تيارات أرضية غير مستقرة تصل إلى عدة ملي أمبير. نظرًا لاستخدام هيكل باعث مشترك ، فإن مقاومة الخرج عالية نسبيًا ، مما يعني أن مكثفًا خارجيًا بمدى معين من السعة ومقاومة السلسلة المكافئة (ESR) مطلوب للعمل بشكل مستقر.
تُستخدم الآن منظمات FET ذات القناة P على نطاق واسع في العديد من الأجهزة التي تعمل بالبطاريات نظرًا لجهد التسرب المنخفض والتيار الأرضي. يستخدم هذا النوع من المنظمين P-channel FET كعنصر تمرير. يمكن أن يكون انخفاض الجهد لمثل هذا المنظم منخفضًا جدًا لأنه من السهل ضبط مقاومة مصدر التصريف إلى قيمة أقل عن طريق ضبط حجم FET. آخر - واحد لديه FET كعنصر تمرير. يمكن أن يكون انخفاض الجهد لمثل هذا المنظم منخفضًا جدًا لأنه من السهل ضبط مقاومة مصدر التصريف إلى قيمة أقل عن طريق ضبط حجم FET. آخر - مكثف مع نطاق معين من السعة و ESR للعمل بثبات.
تعتبر منظمات FET ذات القناة N مثالية للأجهزة التي تتطلب جهدًا منخفضًا للتسرب وتيار أرضي منخفض وتيار حمل. تُستخدم قناة N-channel FET للأنبوب الجانبي ، لذا فإن انخفاض الجهد والتيار الأرضي لهذا المنظم منخفضان للغاية. على الرغم من أنه يتطلب أيضًا مكثفًا خارجيًا للعمل بثبات ، إلا أن قيمة المكثف لا تحتاج إلى أن تكون كبيرة ، و ESR ليست مهمة. تتطلب منظمات FET ذات القناة N مضخة شحن لتأسيس جهد انحياز البوابة ، وبالتالي فإن الدائرة معقدة نسبيًا. لحسن الحظ ، يمكن أن تكون FETs ذات القناة N أصغر بنسبة تصل إلى 50 في المائة من FETs ذات القناة P لنفس تيار الحمل.
