9 تدابير لقمع EMI في تبديل إمدادات الطاقة
في إمدادات طاقة وضع التبديل ، فإن التغييرات المفاجئة في الجهد والتيار ، وهي DV/DT عالية و DI/DT ، هي الأسباب الرئيسية لتوليد EMI. تعتمد مقاييس تقنية تصميم EMC لتنفيذ مستلزمات الطاقة بشكل أساسي على النقطتين التاليتين:
(1) تقليل مصادر التداخل الناتجة عن مصدر الطاقة نفسه ، واستخدام طرق لقمع التداخل أو استخدام المكونات والدوائر التي تولد تداخلًا أقل ، وترتيبها بشكل معقول ؛
(2) قمع EMI من إمدادات الطاقة وتحسين إمدادات الطاقة من خلال التأريض ، والتصفية ، والدرع والتقنيات الأخرى.
التحدث بشكل منفصل ، التدابير الرئيسية 9 هي:
(1) تقليل DV/DT و DI/DT (تقليل ذروته ويبطئ منحدرهم)
(2) تطبيق معقول للمتغيرات لتقليل جهد الطفرة
(3) شبكة التخميد تقمع
(4) استخدام الثنائيات ذات خصائص الاسترداد الناعمة لتقليل EMI عالي التردد
(5) تصحيح عامل الطاقة النشط وغيرها من تقنيات التصحيح التوافقي
(6) اعتماد مرشح خط طاقة مصمم جيدًا
(7) علاج الأساس المعقول
(8) تدابير التدريع الفعالة
(9) تصميم ثنائي الفينيل متعدد الكلور معقول
حماية المحولات عالية التردد
لمنع الحقل المغناطيسي للتسرب لمحولات التردد العالي من التدخل مع الدوائر المحيطة ، يمكن استخدام أشرطة التدريع لحماية المجال المغناطيسي للتسرب لمحولات التردد العالي. يتكون شريط التدريع عمومًا من رقائق النحاس ، ملفوفة حول الجزء الخارجي من المحول والأساس. الشريط التدريبي عبارة عن حلقة دائرة قصيرة نسبة إلى المجال المغناطيسي للتسرب ، وبالتالي قمع تسرب مجموعة أكبر من المجال المغناطيسي للتسرب.
تواجه محولات التردد العالية النزوح النسبي بين النوى المغناطيسية واللفات ، مما يؤدي إلى الضوضاء (الصفير ، الاهتزاز) أثناء التشغيل. لمنع هذا الضجيج ، يجب اتخاذ تدابير التعزيز للمحول:
(1) استخدام راتنج الايبوكسي لربط الأسطح التلامسية الثلاثة للنوى المغناطيسية (مثل النوى EE و EI) لقمع الإزاحة النسبية ؛
(2) استخدام "الخرز الزجاجي" اللاصقة لربط النواة المغناطيسية يؤدي إلى نتائج أفضل.
